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教材: 童詩白 《模擬電子技術基礎》主講: 蔣宏 82314573-14 (O) 新主樓 E1115 Communication http://modian.buaa.edu.cn 四、模電成績如何算作業(yè)：１０％期末考試：９０％參考課堂和答疑表現 作業(yè)：每周交 1 次，全交，有參考解答 1.1半導體基礎知識 對于雜質半導體，多子濃度約等于所摻雜質濃度，多子濃度受溫度影響小；少子（本征激發(fā)）濃度受溫度影響大； 　載流子的兩種運動：擴散——載流子在濃度差作用下的運動　載流子總是從高濃度向低濃度擴散飄移——載流子在電場作用下的運動　電子逆電場方向運動　空穴順電場方向運動 1.2 PN結 　多子擴散－＞形成空間電荷區(qū)－＞有利少子向對方漂移、阻擋多子向對方擴散，　少子向對方的漂移－＞空間電荷區(qū)變窄－＞有利于多子向對方擴散；　當多子的擴散和少子的漂移達到動態(tài)平衡時，空間電荷區(qū)的寬度一定，形成PN結。 1.3 半導體二極管 1.4 穩(wěn)壓管 作業(yè): 1.9(1.6)， 1.11() 1.5 半導體三極管（雙極型晶體管） e區(qū)的多子擴散而導電 1.6 場效應管(單極型三極管)MA6紅軟基地

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