這是集成電路制造技術原理與工藝ppt，包括了引言，無生產(chǎn)線集成電路設計技術，代客戶加工（代工）方式，PDK文件，電路設計和電路仿真等內(nèi)容，歡迎點擊下載。

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第一章 集成電路制造工藝流程 1.無生產(chǎn)線集成電路設計技術 隨著集成電路發(fā)展的過程，其發(fā)展的總趨勢是革新工藝、提高集成度和速度。 設計工作由有生產(chǎn)線集成電路設計到無生產(chǎn)線集成電路設計的發(fā)展過程。 無生產(chǎn)線（Fabless）集成電路設計公司。如美國有200多家、臺灣有100多家這樣的設計公司。 2. 代客戶加工（代工）方式 芯片設計單位和工藝制造單位的分離，即芯片設計單位可以不擁有生產(chǎn)線而存在和發(fā)展，而芯片制造單位致力于工藝實現(xiàn)，即代客戶加工（簡稱代工）方式。 代工方式已成為集成電路技術發(fā)展的一個重要特征。 3. PDK文件 首先，代工單位將經(jīng)過前期開發(fā)確定的一套工藝設計文件PDK（Process Design Kits)通過因特網(wǎng)傳送給設計單位。 PDK文件包括：工藝電路模擬用的器件的SPICE（Simulation Program with IC Emphasis）參數(shù)，版圖設計用的層次定義，設計規(guī)則，晶體管、電阻、電容等元件和通孔（VIA）、焊盤等基本結構的版圖，與設計工具關聯(lián)的設計規(guī)則檢查（DRC）、版圖參數(shù)提�。↙PE、PEX）和版圖電路對照（LVS）用的文件。 4. 電路設計和電路仿真 設計單位根據(jù)研究項目提出的技術指標，在自己掌握的電路與系統(tǒng)知識的基礎上，利用PDK提供的工藝數(shù)據(jù)和CAD/EDA工具，進行電路設計、電路仿真（或稱模擬）和優(yōu)化、版圖設計、設計規(guī)則檢查DRC、參數(shù)提取和版圖電路圖對照LVS，最終生成通常稱之為GDS-Ⅱ格式的版圖文件。再通過因特網(wǎng)傳送到代工單位。 5. 掩膜與流片 代工單位根據(jù)設計單位提供的GDS-Ⅱ格式的版圖數(shù)據(jù)，首先制作掩膜（Mask），將版圖數(shù)據(jù)定義的圖形固化到鉻板等材料的一套掩膜上。 一張掩膜一方面對應于版圖設計中的一層的圖形，另一方面對應于芯片制作中的一道或多道工藝。 在一張張掩膜的參與下，工藝工程師完成芯片的流水式加工，將版圖數(shù)據(jù)定義的圖形最終有序的固化到芯片上。這一過程通常簡稱為“流片”。 6. 代工工藝 代工（Foundry）廠家很多，如： 無錫上華（0.6/0.5 mCOS和4 mBiCMOS工藝) 上海先進半導體公司(1 mCOS工藝) 首鋼NEC(1.2/0.18 mCOS工藝) 上海華虹NEC(0.35 mCOS工藝) 上海中芯國際(8英寸晶圓0.25/0.18 mCOS工藝) 6. 代工工藝 代工（Foundry）廠家很多，如： 宏力 8英寸晶圓0.25/0.18 mCMOS工藝 華虹 NEC 8英寸晶圓0.25mCMOS工藝 臺積電(TSMC) 在松江籌建 8英寸晶圓0.18 mCMOS工藝 聯(lián)華(UMC) 在蘇州籌建 8英寸晶圓0.18 mCMOS工藝等等。 7.境外代工廠家一覽表 8. 芯片工程與多項目晶圓計劃 F&F(Fabless and Foundry)模式 工業(yè)發(fā)達國家通過組織無生產(chǎn)線IC設計的芯片計劃來促進集成電路設計的專業(yè)發(fā)展、人才培養(yǎng)、技術研究和中小企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)，而取得成效。 這種芯片工程通常由大學或研究所作為龍頭單位負責人員培訓、技術指導、版圖匯總、組織芯片的工藝實現(xiàn)，性能測試和封裝。大學教師、研究生、研究機構、中小企業(yè)作為工程受益群體，自愿參加，并付一定費用。 8. 芯片工程與多項目晶圓計劃 8. 芯片工程與多項目晶圓計劃 多項目晶圓MPW（multi-project wafer)技術服務是一種國際科研和大學計劃的流行方式。 MPW技術把幾到幾十種工藝上兼容的芯片拼裝到一個宏芯片（Macro-Chip）上然后以步進的方式排列到一到多個晶圓上，制版和硅片加工費用由幾十種芯片分擔，極大地降低芯片研制成本，在一個晶圓上可以通過變換版圖數(shù)據(jù)交替布置多種宏芯片。 代工單位與其他單位關系圖 集成電路制造工藝分類 §1-1 雙極集成電路典型的PN結隔離工藝 思考題 雙極集成電路的基本制造工藝，可以粗略的分為兩類：一類為在元器件間要做隔離區(qū)。隔離的方法有多種，如PN結隔離，全介質隔離及PN結-介質混合隔離等。另一類為器件間的自然隔離。 1.1.1典型PN結隔離工藝流程 1.1.1 工藝流程 1.1.1 工藝流程（續(xù)1） 1.1.1 工藝流程（續(xù)2） 1.1.1 工藝流程（續(xù)3） 1.1.1 工藝流程（續(xù)4） 1.1.1 工藝流程（續(xù)5） 1.1.1 工藝流程（續(xù)6） 1.1.2 光刻掩膜版匯總 1.1.3 外延層電極的引出 1.1.4 埋層的作用 1.1.5 隔離的實現(xiàn) 1.1.6 練習 §1.2 N阱硅柵CMOS集成電路制造工藝 思考題 1.2.2 N阱硅柵CMOS工藝主要流程 （ 參考P阱硅柵CMOS工藝流程） 1.2.2 N阱硅柵CMOS工藝主要流程1.襯底準備 1.2.3 N阱硅柵CMOS工藝光刻掩膜版匯總簡圖 1.2.4 局部氧化的作用 1.2.5 硅柵自對準的作用 1.2.6 MOS管襯底電極的引出 1.2.7 LDD注入 1.2.8 接觸孔摻雜 1.2.9 其它MOS工藝簡介 1.2.10 練習 §1.3其它集成電路制造工藝簡介 1.3.1 雙層多晶、多層金屬CMOS工藝 1.3.2 雙極型模擬集成電路工藝 1.3.3 Bi CMOS工藝4fv紅軟基地

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