這是一個關(guān)于共模反饋電路設(shè)計PPT課件，包括了概述，一級運(yùn)放，兩級運(yùn)放，增益的提高，共模反饋，輸入范圍限制，轉(zhuǎn)換速率，電源抑制，運(yùn)放的噪聲等內(nèi)容，提綱 1、概述 2、一級運(yùn)放 3、兩級運(yùn)放 4、增益的提高 5、共模反饋 6、輸入范圍限制 7、轉(zhuǎn)換速率 8、電源抑制 9、運(yùn)放的噪聲 “運(yùn)算放大器（運(yùn)放）” 高增益的差動放大器增益范圍在10-105，增益的大小根據(jù)閉環(huán)電路的精度要求選取。 20多年前運(yùn)放被設(shè)計成通用的模塊，例如高增益、高輸入阻抗、低輸出阻抗�，F(xiàn)在在各參數(shù)之間折中。 9.1 性能參數(shù) 輸出擺幅 大信號頻率特性 基本電路結(jié)構(gòu) 套筒式共源共柵運(yùn)放（telescopic cascode op amp）折疊共源共柵運(yùn)放（folded cascode op amp）折疊共源共柵運(yùn)放（續(xù)）折疊共源共柵運(yùn)放（續(xù)）折疊共源共柵運(yùn)放（續(xù)）3、兩級運(yùn)放 在一些應(yīng)用中，共源共柵放大器提供的增益和輸出擺幅均不滿足要求。例如，助聽器的運(yùn)放必須在0.9V的低電壓下工作，而單端輸出擺幅大到0.5V. 因此我們尋找兩級運(yùn)放 3、兩級運(yùn)放基本電路結(jié)構(gòu)4、增益的提高Gm，Rout 注意一個問題: 高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu) 高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu)（續(xù)），歡迎點擊下載共模反饋電路設(shè)計PPT課件哦。

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提綱 1、概述 2、一級運(yùn)放 3、兩級運(yùn)放 4、增益的提高 5、共模反饋 6、輸入范圍限制 7、轉(zhuǎn)換速率 8、電源抑制 9、運(yùn)放的噪聲 “運(yùn)算放大器（運(yùn)放）” 高增益的差動放大器增益范圍在10-105，增益的大小根據(jù)閉環(huán)電路的精度要求選取。 20多年前運(yùn)放被設(shè)計成通用的模塊，例如高增益、高輸入阻抗、低輸出阻抗�，F(xiàn)在在各參數(shù)之間折中。 9.1 性能參數(shù) 輸出擺幅 大信號頻率特性 基本電路結(jié)構(gòu) 套筒式共源共柵運(yùn)放（telescopic cascode op amp） 折疊共源共柵運(yùn)放（folded cascode op amp） 折疊共源共柵運(yùn)放（續(xù)） 折疊共源共柵運(yùn)放（續(xù)） 折疊共源共柵運(yùn)放（續(xù)） 3、兩級運(yùn)放 在一些應(yīng)用中，共源共柵放大器提供的增益和輸出擺幅均不滿足要求。例如，助聽器的運(yùn)放必須在0.9V的低電壓下工作，而單端輸出擺幅大到0.5V. 因此我們尋找兩級運(yùn)放 3、兩級運(yùn)放基本電路結(jié)構(gòu) 4、增益的提高 Gm，Rout 注意一個問題: 高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu) 高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu)（續(xù)） 5、共模反饋 首先回答幾個問題 5、共模反饋電路的失配使電路產(chǎn)生“共模誤差” 右圖的pmos電流源做負(fù)載的電路的共模電平不容易確定失配使電流出現(xiàn)誤差，進(jìn)而影響晶體管的工作狀態(tài)（脫離飽和區(qū)） CM不能通過差動反饋達(dá)到穩(wěn)定。 CMFB：檢測輸出共模電平同一個參考電壓比較將誤差送回放大器偏置網(wǎng)絡(luò)首先分析如何檢測輸出共模電平 檢測輸出共模電平 檢測輸出共模電平（續(xù)） 總結(jié) 檢測輸出共模電平一共有三種方法 控制共模電平 控制共模電平（續(xù)） 控制共模電平（續(xù)） 控制共模電平（續(xù)） 6、輸入范圍限制大的共模輸入范圍 大的共模輸入范圍（續(xù)） 7、轉(zhuǎn)換速率轉(zhuǎn)換速率（壓擺率）：輸入階躍信號幅度很大時，實際的輸出表現(xiàn)具有近似為常數(shù)的斜率，該常數(shù)定義為轉(zhuǎn)換速率。 處理大信號時，運(yùn)放工作于非線性區(qū) 處理正弦信號V0sinω0t 8、電源抑制電源抑制比（PSRR）：從輸入到輸出的增益除以從電源到輸出的增益。性能比較一級運(yùn)放設(shè)計實例（optional）約束條件電源電壓工藝溫度 設(shè)計步驟 1.由已知的CL并根據(jù)轉(zhuǎn)換速率的要求（或功耗要求）選擇ISS（I5）的范圍； 2.計算滿足頻率要求的Rout范圍，否則，改變ISS； 3.設(shè)計W3/L3（ W4/L4 ）滿足上ICMR（或輸出擺幅）要求； 4.設(shè)計W1/L1滿足增益要求； 5.設(shè)計W5/L5滿足下ICMR（或輸出擺幅）要求； 6.若達(dá)不到設(shè)計要求，重復(fù)上述過程。 設(shè)計電流鏡負(fù)載的MOS差分放大器：VDD=5V，SR≥10V/s，CL＝5pF，功耗≤1mW，電壓增益=100，1V ≤ ICMR ≤ 4.5V， f-3dB ≥ 100kHz。假定μnCox=110 μA/V2， μpCox=50 μA/V2 ，λn＝0.04V-1， λp＝0.05V-1（有效溝道長度為0.5 μm時）， γ=0，VTHN＝| VTHP | =0.7V。ffI紅軟基地