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圖形曝光與刻蝕 光學(xué)圖形曝光－潔凈室 光刻機(jī) 掩模版 抗蝕劑 圖案轉(zhuǎn)移 分辨率增加技術(shù) 新一代圖形曝光技術(shù) 電子束圖形曝光 SCALPEL 電子束抗蝕劑 鄰近效應(yīng) 極遠(yuǎn)紫外光圖形曝光（EUV） X射線圖形曝光（XRL） 離子束圖形曝光 不同圖形曝光方法的比較 濕法化學(xué)腐蝕（WCE） 硅的腐蝕 二氧化硅的腐蝕 氮化硅與多晶硅的腐蝕 鋁腐蝕 砷化鎵的腐蝕 干法刻蝕 干法刻蝕 基本等離子體理論 刻蝕機(jī)制、等離子體探測與終點的控制 等離子體探測 終點控制 反應(yīng)等離子體刻蝕技術(shù)與設(shè)備 反應(yīng)離子刻蝕（RIE） 電子回旋共振（ECR）等離子體刻蝕機(jī) 其他高密度等離子體刻蝕機(jī) 集成等離子體工藝 反應(yīng)等離子體刻蝕的應(yīng)用 硅溝槽刻蝕 多晶硅與多晶硅化物柵極刻蝕 介質(zhì)刻蝕 金屬導(dǎo)線刻蝕－Al Cu WxxK紅軟基地

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