這是cmos工藝流程ppt，包括了CMOS工藝流程，簡化N阱CMOS工藝演示flash，清華工藝錄像：N阱硅柵CMOS工藝流程，雙阱CMOS集成電路的工藝設(shè)計，圖解雙阱硅柵CMOS制作流程，典型N阱CMOS工藝的剖面圖，Simplified CMOS Process Flow，CMOS電路版圖舉例等內(nèi)容，歡迎點擊下載。

cmos工藝流程ppt是由紅軟PPT免費下載網(wǎng)推薦的一款課件PPT類型的PowerPoint.

CMOS集成電路工藝流程與CMOS電路版圖舉例 1. CMOS工藝流程 1) 簡化N阱CMOS工藝演示flash 2) 清華工藝錄像：N阱硅柵CMOS工藝流程 3) 雙阱CMOS集成電路的工藝設(shè)計 4) 圖解雙阱硅柵CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工藝的剖面圖 3. Simplified CMOS Process Flow 4. CMOS電路版圖舉例 1) 簡化N阱CMOS工藝演示 氧化層生長 曝光 氧化層的刻蝕 N阱注入 形成N阱 氮化硅的刻蝕 場氧的生長 去除氮化硅 重新生長二氧化硅（柵氧） 生長多晶硅 刻蝕多晶硅 刻蝕多晶硅 P+離子注入 N+離子注入 生長磷硅玻璃PSG 光刻接觸孔 刻鋁 刻鋁 2) 工藝錄像 N阱硅柵CMOS工藝流程側(cè)視圖 初始氧化 光刻1，刻N阱 N阱形成 Si3N4淀積 光刻2，刻有源區(qū)，場區(qū)硼離子注入 場氧1 光刻3 場氧2 多晶硅淀積 光刻4，刻NMOS管硅柵，磷離子注入形成NMOS管 光刻5，刻PMOS管硅柵，硼離子注入及推進(jìn)，形成PMOS管 磷硅玻璃淀積 光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀積回流（圖中有誤，沒刻出孔) 蒸鋁、光刻7，刻鋁、光刻8，刻鈍化孔（圖中展示的是刻鋁后的圖形） Expert版圖設(shè)計軟件畫版圖 Process (Inverter)p-sub Layout and Cross-Section View of Inverter A Complete CMOS Inverter 離子注入的應(yīng)用 Process N阱硅柵CMOS工藝流程 形成N阱 初始氧化，形成緩沖層，淀積氮化硅層 光刻1，定義出N阱 反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層 N阱離子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+ 形成P阱 在N阱區(qū)生長厚氧化層，其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會被氧化 去掉光刻膠及氮化硅層 P阱離子注入，注硼 推阱 退火驅(qū)入，雙阱深度約1.8μm 去掉N阱區(qū)的氧化層 形成場隔離區(qū) 生長一層薄氧化層 淀積一層氮化硅 光刻2場隔離區(qū)，非隔離區(qū)被光刻膠保護(hù)起來 反應(yīng)離子刻蝕氮化硅 場區(qū)硼離子注入以防止場開啟 熱生長厚的場氧化層 去掉氮化硅層 閾值電壓調(diào)整注入 光刻3，VTP調(diào)整注入 光刻4，VTN調(diào)整注入 形成硅化物 淀積氧化層 反應(yīng)離子刻蝕氧化層，形成側(cè)壁氧化層（spacer， sidewall） 淀積難熔金屬Ti或Co等 低溫退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi 去掉氧化層上的沒有發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的Ti或Co 高溫退火，形成低阻穩(wěn)定的TiSi2或CoSi2 形成接觸孔 化學(xué)氣相淀積BPTEOS硼磷硅玻璃層 退火和致密 光刻8，接觸孔版 反應(yīng)離子刻蝕磷硅玻璃，形成接觸孔 形成第一層金屬 淀積金屬鎢(W)，形成鎢塞 形成第一層金屬 淀積金屬層，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻9，第一層金屬版，定義出連線圖形 反應(yīng)離子刻蝕金屬層，形成互連圖形 形成穿通接觸孔 化學(xué)氣相淀積PETEOS， 等離子增強(qiáng)正硅酸四乙酯熱分解 Plasma Enhanced TEOS ：tetraethylorthosilicate [Si-(OC2H5)4] -- 通過化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化 光刻穿通接觸孔版 反應(yīng)離子刻蝕絕緣層，形成穿通接觸孔 形成第二層金屬 淀積金屬層，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻10，第二層金屬版，定義出連線圖形 反應(yīng)離子刻蝕，形成第二層金屬互連圖形 合金 形成鈍化層 在低溫條件下(小于300℃)淀積氮化硅 光刻11，鈍化版 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形 測試、封裝，完成集成電路的制造工藝 CMOS集成電路采用(100)晶向的硅材料 4) 圖解雙阱硅柵CMOS制作流程 首先進(jìn)行表面清洗，去除wafer表面的保護(hù)層和 雜質(zhì)，三氧化二鋁必須以高速粒子撞擊，并 用化學(xué)溶液進(jìn)行清洗。 然后在表面氧化二氧化硅膜以減小后一步氮化硅對晶圓的表面應(yīng)力。  涂覆光阻(完整過程包括，甩膠→預(yù)烘→曝光→顯影→后烘→腐蝕→去除光刻膠)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化硅LPCVD沉積形成(以氨、硅烷、乙硅烷反應(yīng)生成)。 光刻技術(shù)去除不想要的部分，此步驟為定出P型阱區(qū)域。 (所謂光刻膠就是對光或電子束敏感且耐腐蝕能力強(qiáng)的材料，常用的光阻液有S1813，AZ5214等)。光刻膠的去除可以用臭氧燒除也可用專用剝離液。氮化硅用180℃的磷酸去除或含CF4氣體的等離子刻蝕(RIE)。                  在P阱區(qū)域植入硼(+3)離子，因硅為+4價，所以形成空洞，呈正電荷狀態(tài)。(離子植入時與法線成7度角，以防止發(fā)生溝道效應(yīng)，即離子不與原子碰撞而直接打入)。每次離子植入后必須進(jìn)行退火處理，以恢復(fù)晶格的完整性。(但高溫也影響到已完成工序所形成的格局)。   LOCOS (local oxidation of silicon)選擇性氧化：濕法氧化二氧化硅層，因以氮化硅為掩模會出現(xiàn)鳥嘴現(xiàn)象，  影響尺寸的控制。二氧化硅層在向上生成的同時也向下移動，為膜厚的0.44倍，所以在去除二氧化硅層后，出現(xiàn)表面臺階現(xiàn)象。濕法氧化快于干法氧化，因OH基在硅中的擴(kuò)散速度高于O2。硅膜越厚所需時間越長。                   去除氮化硅和表面二氧化硅層。露出N型阱區(qū) 域。(上述中曝光技術(shù)光罩與基片的距離分為接觸式、接近式和投影式曝光三種，常用投影式又分為等比和微縮式。曝光會有清晰度和分辯率，所以考慮到所用光線及波長、基片表面平坦度、套刻精度、膨脹系數(shù)等)。 離子植入磷離子(+5)，所以出現(xiàn)多余電子，呈現(xiàn)負(fù)電荷狀態(tài)。電荷移動速度高于P型約0.25倍。以緩沖氫氟酸液去除二氧化硅層。   在表面重新氧化生成二氧化硅層，LPCVD沉積 氮化硅層，以光阻定出下一步的field oxide區(qū)域。 在上述多晶硅層外圍，氧化二氧化硅層以作為保護(hù)。涂布光阻，以便利用光刻技術(shù)進(jìn)行下一步的工序。    形成NMOS，以砷離子進(jìn)行植入形成源漏極。 此工序在約1000℃中完成，不能采用鋁柵極工藝，因鋁不能耐高溫，此工藝也稱為自對準(zhǔn)工藝。砷離子的植入也降低了多晶硅的電阻率(塊約為30歐姆)。還采用在多晶硅上沉積高熔點金屬材料的硅化物(MoSi2、WSi2、TiSi2等)，形成多層結(jié)構(gòu)  以類似的方法，形成PMOS，植入硼(+3)離子。 (后序中的PSG或BPSG能很好的穩(wěn)定能動鈉離子，以保證MOS電壓穩(wěn)定)。  后序中的二氧化硅層皆是化學(xué)反應(yīng)沉積而成，其中加入PH3形成PSG (phospho-silicate-glass)，加入B2H6形成BPSG (boro-phospho-silicate-glass)以平坦表面。所謂PECVD (plasma  enhanced CVD) 在普通CVD反應(yīng)空間導(dǎo)入電漿(等離子)，使氣體活化以降低反應(yīng)溫度)。 光刻技術(shù)定出孔洞，以濺射法或真空蒸發(fā)法，依次沉積鈦+氮化鈦+鋁+氮化鈦等多層金屬。(其中還會考慮到鋁的表面氧化和氯化物的影響)。由于鋁硅固相反應(yīng)，特別對淺的PN結(jié)難以形成漏電流 (leak current)小而穩(wěn)定的接觸，為此使用TiN等材料，以抑制鋁硅界面反應(yīng)，并有良好的歐姆，這種材料也稱為勢壘金屬(barrier metal)。   RIE刻蝕出布線格局。以類似的方法沉積第二層金屬，以二氧化硅絕緣層和介電層作為層間保 護(hù)和平坦表面作用。 為滿足歐姆接觸要求，布線工藝是在含有5~10%氫的氮氣中，在400~500℃溫度下熱處理15~30分鐘(也稱成形forming)，以使鋁和硅合金化。最后還要定出PAD接觸窗，以便進(jìn)行bonding工作。 (上述形成的薄膜厚度的計算可采用光學(xué)衍射、傾斜研磨、四探針法等方法測得)。   2. 典型P阱CMOS工藝的剖面圖 CMOS process Process (Inverter)p-sub Layout and Cross-Section View of Inverter Process N-well， Active Region， Gate Oxide Poly-silicon Layer N+ and P+ Regions SiO2 Upon Device & Contact Etching Metal Layer – by Metal Evaporation A Complete CMOS Inverter FET Transistor - Layout layers Via and Contacts Inverter Example 4. MOS電路版圖舉例 1) 鋁柵CMOS電路版圖設(shè)計規(guī)則 2) 鋁柵、硅柵MOS器件的版圖 3) 鋁柵工藝CMOS版圖舉例 4) 硅柵工藝MOS電路版圖舉例 5) P阱硅柵單層鋁布線CMOS集成電路的工藝過程 6) CMOS IC 版圖設(shè)計技巧 7) CMOS反相器版圖流程 1) 鋁柵CMOS電路 版圖設(shè)計規(guī)則 該圖的說明 a 溝道長度 3λ b GS/GD覆蓋λ c p+，n+最小寬度3λ d p+，n+最小間距3λ e p阱與n+區(qū)間距2λ f 孔距擴(kuò)散區(qū)最小間距 2λ g Al覆蓋孔λ 孔 2λ× 3λ或 3λ× 3λ h Al柵跨越p+環(huán)λ i Al最小寬度4λ j Al最小間距3λ 2) 鋁柵、硅柵MOS器件的版圖 Source/Drain: Photomask (dark field) Gate: Photomask (dark field) Contacts: Photomask (dark field) Metal Interconnects: Photomask (light field) 硅柵硅柵MOS器件工藝的流程Process (1)刻有源區(qū) Process (2)刻多晶硅與自對準(zhǔn)摻雜 Process (3)刻接觸孔、反刻鋁 制備耗盡型MOS管 在MOS集成電路中，有些設(shè)計需要采用耗盡型MOS管，這樣在MOS工藝過程中必須加一塊光刻掩膜版，其目的是使非耗盡型MOS管部分的光刻膠不易被刻蝕，然后通過離子注入和退火、再分布工藝，改變耗盡型MOS管區(qū)有源區(qū)的表面濃度，使MOS管不需要柵電壓就可以開啟工作。 然后采用干氧－濕氧－干氧的方法進(jìn)行場氧制備，其目的是使除有源區(qū)部分之外的硅表面生長一層較厚的SiO2層，防止寄生MOS管的形成。 硅柵P阱CMOS反相器版圖設(shè)計舉例 5) P阱硅柵單層鋁布線CMOS的工藝過程 下面以光刻掩膜版為基準(zhǔn)，先描述一個P阱硅柵單層鋁布線CMOS集成電路的工藝過程的主要步驟，用以說明如何在CMOS工藝線上制造CMOS集成電路。（見教材第7--9頁，圖1.12） CMOS集成電路工藝--以P阱硅柵CMOS為例 1、光刻I---阱區(qū)光刻，刻出阱區(qū)注入孔 2、阱區(qū)注入及推進(jìn)，形成阱區(qū) 3、去除SiO2，長薄氧，長Si3N4 4、光II---有源區(qū)光刻，刻出PMOS管、NMOS管的源、柵和漏區(qū) 5、光III---N管場區(qū)光刻，N管場區(qū)注入孔，以提高場開啟，減少閂鎖效應(yīng)及改善阱的接觸。 6、長場氧，漂去SiO2及Si3N4，然后長柵氧。 7、光Ⅳ---p管場區(qū)光刻（用光I的負(fù)版），p管場區(qū)注入， 調(diào)節(jié)PMOS管的開啟電壓，然后生長多晶硅。 8、光Ⅴ---多晶硅光刻，形成多晶硅柵及多晶硅電阻 9、光ⅤI---P+區(qū)光刻，刻去P管上的膠。P+區(qū)注入，形成PMOS管的源、漏區(qū)及P+保護(hù)環(huán)（圖中沒畫出P+保護(hù)環(huán)）。 10、光Ⅶ---N管場區(qū)光刻，刻去N管上的膠。 N管場區(qū)注入，形成NMOS的源、漏區(qū)及N+保護(hù)環(huán)（圖中沒畫出）。 11、長PSG（磷硅玻璃）。 12、光刻Ⅷ---引線孔光刻。 13、光刻Ⅸ---引線孔光刻（反刻Al）。 8.7 RS觸發(fā)器 p.154 2、單元配置恰當(dāng) （1）芯片面積降低10%，管芯成品率/圓片 可提高1520%。 （2）多用并聯(lián)形式，如或非門，少用串聯(lián)形式，如與非門。 （3）大跨導(dǎo)管采用梳狀或馬蹄形，小跨導(dǎo)管采用條狀圖形，使圖形排列盡可能規(guī)整。 5、雙層金屬布線時的優(yōu)化方案 （1）全局電源線、地線和時鐘線用第二層金屬線。 （2）電源支線和信號線用第一層金屬線（兩層金屬之間用通孔連接）。 （3）盡可能使兩層金屬互相垂直，減小交疊部分得面積。 7) CMOS反相器 版圖流程 CMOS反相器版圖流程(1) CMOS反相器版圖流程(2) CMOS反相器版圖流程(2) CMOS反相器版圖流程(3) CMOS反相器版圖流程(4) CMOS反相器版圖流程(4) CMOS反相器版圖流程(5) CMOS反相器版圖流程(6) CMOS反相器版圖流程(7) CMOS反相器版圖流程(8) 1. 阱——做N阱和P阱封閉圖形處，窗口注入形成P管和N管的襯底 2. 有源區(qū)——做晶體管的區(qū)域（G、D、S、B區(qū))，封閉圖形處是氮化硅掩蔽層，該處不會長場氧化層 3. 多晶硅——做硅柵和多晶硅連線。封閉圖形處，保留多晶硅 4. 有源區(qū)注入——P+、N+區(qū)（select)。做源漏及阱或襯底連接區(qū)的注入 5. 接觸孔——多晶硅，注入?yún)^(qū)和金屬線1接觸端子。 6. 金屬線1——做金屬連線，封閉圖形處保留鋁 7. 通孔——兩層金屬連線之間連接的端子 8. 金屬線2——做金屬連線，封閉圖形處保留鋁 1. 有源區(qū)和場區(qū)是互補(bǔ)的，晶體管做在有源區(qū)處，金屬和多晶連線多做在場區(qū)上。 2. 有源區(qū)和P+，N+注入?yún)^(qū)的關(guān)系：有源區(qū)即無場氧化層，在這區(qū)域中可做N型和P型各種晶體管，此區(qū)一次形成。 3. 至于以后何處是NMOS晶體管，何處是PMOS晶體管，要由P+注入?yún)^(qū)和N+注入?yún)^(qū)那次光刻決定。 4. 有源區(qū)的圖形（與多晶硅交疊處除外）和P+注入?yún)^(qū)交集處即形成P+有源區(qū)， P+注入?yún)^(qū)比所交有源區(qū)要大些。 5. 有源區(qū)的圖形（與多晶硅交疊處除外）和N+注入?yún)^(qū)交集處即形成N+有源區(qū)， N+注入?yún)^(qū)比所交有源區(qū)要大些。 6. 兩層半布線 金屬，多晶硅可做連線，所注入的有源區(qū)也是導(dǎo)體，可做短連線（方塊電阻大）。三層布線之間，多晶硅和注入有源區(qū)不能相交布線，因為相交處形成了晶體管，使得注入有源區(qū)連線斷開。 7. 三層半布線 金屬1，金屬2 ，多晶硅可做連線，所注入的有源區(qū)也是導(dǎo)體，可做短連線（方塊電阻大）。四層線之間，多晶硅和注入有源區(qū)不能相交布線，因為相交處形成了晶體管，使得注入有源區(qū)連線斷開。Lsr紅軟基地

CMOS影像感測元件技術(shù)介紹PPT課件：這是一個關(guān)于CMOS影像感測元件技術(shù)介紹PPT課件，主要介紹了一、影像元件之背景與應(yīng)用概述。二、CMOS影像感測器技術(shù)原理。三、測試技術(shù)。四、 CMOS感測器現(xiàn)況簡介。五、CMOS Sensor之未來等等內(nèi)容。CMOS影像感測元件技術(shù)講師：莊 志 仁日期：2003.03.03. 內(nèi)容 : 一、影像元件之背景與應(yīng)用概述 CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor，補(bǔ)充性氧化金屬半導(dǎo)體) 影像感測元件之發(fā)展歷程各種影像感測器之比較 CMOS影像IC之優(yōu)點 CMOS與CCD市場佔有率分析 CIS之應(yīng)用分析市場趨勢分析二、CMOS影像感測器技術(shù)原理 Image Process Follow CMOS感測器技術(shù) CMOS感測器技術(shù) CMOS感測器技術(shù) CMOS感測器種類 CMOS感測器種類 CMOS的新技術(shù)─ARAMIS 三、測試技術(shù) Image 測試項目 四、CMOS 感測器現(xiàn)況簡介臺灣數(shù)位相機(jī)銷售概況全球數(shù)位相機(jī)像素比例分析(單位:% ) 數(shù)位相機(jī)成本結(jié)構(gòu)(單位:% ) 五、CMOS Sensor之未來 ◆ 以數(shù)位相機(jī)為首要目標(biāo)市場 ◆ CMOS Sensor的發(fā)展方向 ◆多家廠商積極研發(fā)CMOS Sensor 結(jié)論，歡迎點擊下載CMOS影像感測元件技術(shù)介紹PPT課件哦。

cmos原理與結(jié)構(gòu)PPT：這是一個關(guān)于cmos原理與結(jié)構(gòu)PPT，包括了CMOS反相器工作原理，CMOS反相器的電壓、電流傳輸特性，CMOS反相器的其他特性（自學(xué)），電源特性（自學(xué)），CMOS傳輸門（模擬開關(guān)），CMOS邏輯門電路，CMOS電路的鎖定效應(yīng)，使用CMOS電路的注意事項等內(nèi)容。五、 CMOS 電路 （一）、CMOS反相器工作原理 CMOS 電路的結(jié)構(gòu)特點是： 一個N溝道管和一個P溝道管配 對使用，即N、P互補(bǔ)（Comp- lementary）。 P管作負(fù)載管，N管作輸入管， 兩管柵極接在一起。 注意：P溝的開啟電壓是負(fù)值 柵極電壓要低于源極。 兩管導(dǎo)通時的電阻較小為RON 兩管截止時的電阻很大為ROFF 當(dāng)輸入電壓VI為低電平時，VI=0 P管導(dǎo)通，N管截止，輸出電壓V0為： ROFF V0 = —————— VDD  VDD ROFF + RON 當(dāng)輸入電壓VI為高電平時，VI=VDD P管截止，N管導(dǎo)通，輸出電壓V0為： RON V0 = —————— VDD  0 V ROFF + RON 與 E/E MOS 反相器相比，輸出高電平= VDD 且總有一個管子是截止的（穩(wěn)態(tài)），工作電流極小，功耗極低。（二）、CMOS反相器的電壓、電流傳輸特性 電壓傳輸特性是指輸入電壓與輸出電壓之間的關(guān)系。首先由CMOS反相器電路，我們先確定VI、VO與兩個管子極電壓之間的關(guān)系： 對N管 VGSN=VI VDSN=VO 對P管 VGSP=VI — VDD VDSP= VO — VDD 對N溝輸入管，我們關(guān)心VI在兩個轉(zhuǎn)折點的情況：第一點 截止或?qū)��?標(biāo)志點在于 VGS(th)N 第二點 飽和或非飽和 標(biāo)志點在于： VGSN — VGS(th)N = VDSN 由于VGSN=VI 所以可改寫為：VI — VGS(th)N = VO VDSN=VO VI = VO + VGS(th)N 因此，由上述兩個標(biāo)志點，可將VI變化分為三個區(qū)間： 0 VGS(th)N VO + VGS(th)N VDD，歡迎點擊下載cmos原理與結(jié)構(gòu)PPT。