這是一個(gè)關(guān)于晶體三極管的作用PPT課件，包括了雙極型半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)，雙極型半導(dǎo)體三極管電流的分配與控制，雙極型半導(dǎo)體三極管的電流關(guān)系，雙極型半導(dǎo)體三極管的特性曲線，半導(dǎo)體三極管的參數(shù)，半導(dǎo)體三極管的型號(hào)等內(nèi)容，半導(dǎo)體三極管有兩大類型，一是雙極型半導(dǎo)體三極管 二是場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管 2.1 雙極型半導(dǎo)體三極管 2.1.1 雙極型半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu) 2.1.2 雙極型半導(dǎo)體三極管電流的分配 與控制 2.1.3 雙極型半導(dǎo)體三極管的電流關(guān)系 2.1.4 雙極型半導(dǎo)體三極管的特性曲線 2.1.5 半導(dǎo)體三極管的參數(shù) 2.1.6 半導(dǎo)體三極管的型號(hào) 2.1.1雙極型半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu) 雙極型半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖02.01所示。它有兩種類型:NPN型和PNP型。 圖 02.01 兩種極性的雙極型三極管 雙極型三極管的符號(hào)在圖的下方給出，發(fā)射極的箭頭代表發(fā)射極電流的實(shí)際方向。從外表上看兩個(gè)N區(qū),(或兩個(gè)P區(qū))是對(duì)稱的，實(shí)際上發(fā)射區(qū)的摻雜濃度大，集電區(qū)摻雜濃度低，且集電結(jié)面積大�；鶇^(qū)要制造得很薄，其厚度一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米，歡迎點(diǎn)擊下載晶體三極管的作用PPT課件哦。

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半導(dǎo)體三極管有兩大類型， 一是雙極型半導(dǎo)體三極管 二是場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管 2.1 雙極型半導(dǎo)體三極管 2.1.1 雙極型半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu) 2.1.2 雙極型半導(dǎo)體三極管電流的分配 與控制 2.1.3 雙極型半導(dǎo)體三極管的電流關(guān)系 2.1.4 雙極型半導(dǎo)體三極管的特性曲線 2.1.5 半導(dǎo)體三極管的參數(shù) 2.1.6 半導(dǎo)體三極管的型號(hào) 2.1.1雙極型半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu) 雙極型半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖02.01所示。它有兩種類型:NPN型和PNP型。 圖 02.01 兩種極性的雙極型三極管 雙極型三極管的符號(hào)在圖的下方給出，發(fā)射極的箭頭代表發(fā)射極電流的實(shí)際方向。 從外表上看兩個(gè)N區(qū)，(或兩個(gè)P區(qū))是對(duì)稱的，實(shí)際上發(fā)射區(qū)的摻雜濃度大，集電區(qū)摻雜濃度低，且集電結(jié)面積大。基區(qū)要制造得很薄，其厚度一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米。 2.1.2 雙極型三極管的電流分配與控制 雙極型半導(dǎo)體三極管在工作時(shí)一定要加上適當(dāng)?shù)闹绷髌�置電壓�?若在放大工作狀態(tài)：發(fā)射結(jié)外加正向電壓，集電結(jié)外加反向電壓。 發(fā)射結(jié)加正偏時(shí)，從發(fā)射區(qū)將有大量電子向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流，與PN結(jié)中的情況相同。 從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，但其數(shù)量小，這是因?yàn)榘l(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)的摻雜濃度。 進(jìn)入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低，被復(fù)合的機(jī)會(huì)較少。又因基區(qū)很薄，在集電結(jié)反偏電壓的作用下，電子在基區(qū)停留的時(shí)間很短，很快就運(yùn)動(dòng)到了集電結(jié)的邊上，進(jìn)入集電結(jié)的結(jié)電場(chǎng)區(qū)域，被集電極所收集，形成集電極電流。在基區(qū)被復(fù)合的電子形成基極電流。 另外因集電結(jié)反偏，使集電結(jié)區(qū)的少子形成漂移電流ICBO。于是可得如下電流關(guān)系式: 三極管放大的實(shí)質(zhì) 2.1.3雙極型半導(dǎo)體三極管的電流關(guān)系 (1)三種組態(tài) 雙極型三極管有三個(gè)電極，其中兩個(gè)可以作為輸入， 兩個(gè)可以作為輸出，這樣必然有一個(gè)電極是公共電極。三種接法也稱三種組態(tài)，見圖02.03。 (2)三極管的電流放大系數(shù) 對(duì)于集電極電流 IC 和發(fā)射極電流 IE 之間的關(guān)系可以用系數(shù)來說明，定義: 2.1.4 雙極型半導(dǎo)體三極管的特性曲線 這里，B表示輸入電極，C表示輸出電極，E表示公共電極。所以這兩條曲線是共發(fā)射極接法的特性曲線。 iB是基極輸入電流，vBE 是基極輸入電壓，加在B、E兩電極之間。 iC是輸出電流，vCE是輸出電壓，從C、E 兩電極取出。 共發(fā)射極接法的供電電路和電壓——電流關(guān)系如圖02.04所示。 簡(jiǎn)單地看，輸入特性曲線類似于發(fā)射結(jié)的伏安特性曲線，現(xiàn)討論iB和vBE之間的函數(shù)關(guān)系。因?yàn)橛屑�電結(jié)電壓的影響，它與一個(gè)單獨(dú)的PN結(jié)的伏安特性曲線不同。 為了排除vCE的影響，在討論輸入特性曲線時(shí)，應(yīng)使vCE=const(常數(shù))。 共發(fā)射極接法的輸入特性曲線見圖02.05。其中vCE=0V的那一條相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向特性曲線。當(dāng)vCE≥1V時(shí)， vCB= vCE - vBE>0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，且基區(qū)復(fù)合減少， IC / IB 增大，特性曲線將向右稍微移動(dòng)一些。但vCE再增加時(shí)，曲線右移很不明顯。曲線的右移是三極管內(nèi)部反饋所致，右移不明顯 說明內(nèi)部反饋很小。輸入 特性曲線的分區(qū)： (2)輸出特性曲線 共發(fā)射極接法的輸出特性曲線如圖02.06所示，它是以iB為參變量的一族特性曲線�，F(xiàn)以其中任何一條加以說明，當(dāng)vCE=0 V時(shí)，因集電極無收集作用，iC=0。當(dāng)vCE 稍增大時(shí)，發(fā)射結(jié) 雖處于正向電壓之下， 但集電結(jié)反偏電壓很小 時(shí)，如： vCE < 1 V vBE =0.7 V vCB= vCE- vBE= <0.7 V 集電區(qū)收集電子的能力 很弱，iC主要由vCE決定。 圖02.06共發(fā)射極接法輸出特性曲線 輸出特性曲線可以分為三個(gè)區(qū)域: 2.1.5 半導(dǎo)體三極管的參數(shù) 半導(dǎo)體三極管的參數(shù)分為三大類: 直流參數(shù) 交流參數(shù) 極限參數(shù) (1)直流參數(shù) ①直流電流放大系數(shù) 1.共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB  vCE=const 在放大區(qū)基本不變。在共發(fā)射極輸出特性曲線上，通過垂直于X軸的直線(vCE=const)來求取IC / IB ，如圖02.07所示。在IC較小時(shí)和IC較大時(shí)， 會(huì)有所減小，這一關(guān)系見圖02.08。 ②極間反向電流 1.集電極基極間反向飽和電流ICBO ICBO的下標(biāo)CB代表集電極和基極，O是open的字頭，代表第三個(gè)電極E開路。它相當(dāng)于集電結(jié)的反向飽和電流。 圖02.09 ICEO在輸出特性曲線上的位置 2.共基極交流電流放大系數(shù)α α=IC/IE VCB=const 當(dāng)ICBO和ICEO很小時(shí)， ≈、 ≈，可以不加區(qū)分。 (3) 極限參數(shù) ① 集電極最大允許電流ICM 如圖02.08所示，集電極電流增加時(shí)， 就要下降，當(dāng) 值下降到線性放大區(qū) 值的70～30％時(shí)，所對(duì)應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允許電 ②集電極最大允許功率損耗PCM 集電極電流通過集電結(jié)時(shí)所產(chǎn)生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因發(fā)射結(jié)正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集電結(jié)上。在計(jì)算時(shí)往往用VCE取代VCB。 ③反向擊穿電壓 反向擊穿電壓表示三極管電極間承受反向電壓的能力，其測(cè)試時(shí)的原理電路如圖02.11所示。 1.V(BR)CBO——發(fā)射極開路時(shí)集電結(jié)擊穿電壓。下標(biāo)BR代表擊穿之意，是Breakdown的字頭，CB代表集電極和基極，O代表第三個(gè)電極E開路。 由PCM、 ICM和V(BR)CEO 在輸出特性曲線上可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)，見圖02.12。 2.1.6 半導(dǎo)體三極管的型號(hào)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體三極管的命名如下: 3 D G 110 B 表02.01 雙極型三極管的參數(shù)HmR紅軟基地

晶體三極管的開關(guān)電路PPT：這是一個(gè)關(guān)于晶體三極管的開關(guān)電路PPT，包括了三極管的三種工作區(qū)域，三極管的三種工作狀態(tài)，三極管開關(guān)惰性，晶體三極管反相器以及練習(xí)題等內(nèi)容，當(dāng)VCE減少到一定程度后，集電結(jié)收集載流子的能力減弱，造成發(fā)射結(jié)“發(fā)射有余，集電結(jié)收集不足”，集電極電流IC不再服從IC=βIB的規(guī)律。三極管開關(guān)和二極管開關(guān)一樣，都存在開關(guān)惰性。三極管在作開關(guān)運(yùn)用時(shí)，三極管飽和及截止兩種狀態(tài)不是瞬時(shí)完成。因?yàn)槿龢O管內(nèi)部存在著電荷建立和消散過程。反相器的基本功能是將輸入信號(hào)反相輸出，輸出信號(hào)應(yīng)保持與輸入信號(hào)形狀一致，但由于三極管本身存在：開關(guān)時(shí)間、分布電容及寄生電容的影響，使輸出波形產(chǎn)生一定畸變，只能采取措施，使這種畸變盡可能減小至容許范圍之內(nèi)，歡迎點(diǎn)擊下載晶體三極管的開關(guān)電路PPT。