這是一個關(guān)于半導體材料論文PPT，包括了半導體材料綜述，基本原理，半導體材料的性質(zhì)與性能，對半導體材料的技術(shù)要求，半導體材料的制備，一些主要的半導體材料，半導體材料的應用，半導體材料的發(fā)展展望等內(nèi)容。半導體材料物理與信息工程學院 微電子系 第一章 半導體材料綜述 第一章：半導體材料綜述 半導體已成為家喻戶曉的名詞，收音機是半導體的、電視機是半導體的、計算器及計算機也是半導體的。那么哪些是半導體材料？它有哪些特征？ 1.2半導體材料的類別 第二章：基本原理第二章：基本原理 第三章：半導體材料的性質(zhì)與性能 第二節(jié) 基本原理 第三章：半導體材料的性質(zhì)與性能 第4章　對半導體材料的技術(shù)要求 半導體材料第5章：半導體材料的制備 如果在A熔體中存在著微量的B雜質(zhì)，并且它們在固體的狀況下是形成固溶體，則在冷卻析晶時，微量的B雜質(zhì)將有一部分凝入固相中，但雜質(zhì)在晶體中的濃度和在熔體中的濃度是不一樣的，從圖1-2-55（a）看到在熔體中B的濃度是CL,在晶體中B的濃度是Cs。由于液相線和固相線近似地看成直線，所以很容易證明在平衡時，二者的比值是一個常數(shù)，即： K = C s /CL (5-3) K稱為分配/分凝系數(shù)，上述現(xiàn)象稱為分凝現(xiàn)象。 T(CL1) = T0 + tgα1*C L1 T(Cs1) = T0 + tgα2*C s1 所以： T(CL1) - T0 = tgα1*C L1 T(Cs1) - T0 = tgα2*C s1 兩式相比有：(T(CL1)-T0)/(T(Cs1)-T0 )=(tgα1/tgα2)*(C L1 /C s1) 在平衡時T(Ct1)= T(Cs1),故有： C s1 /C L1 = tgα1/tgα2=K 只要液相線和固相線是直線，那么在任意溫度平衡時都可以得到同樣結(jié)果，因此可把下標“1”去掉，得到: C s /C L =K K =tgα1/tgα2 圖1-2-56的情況是加入雜質(zhì)后降低了熔體的溫度，所以有: |tgα1|<|tgα2|，即: K < 1。如果加入雜質(zhì)后是升高了熔體的溫度，則如圖1-2-57所示，則有：|tgα1|>|tgα2|，即: K > 1，歡迎點擊下載半導體材料論文PPT哦。

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半導體材料物理與信息工程學院 微電子系 第一章 半導體材料綜述 第一章：半導體材料綜述 半導體已成為家喻戶曉的名詞，收音機是半導體的、電視機是半導體的、計算器及計算機也是半導體的。那么哪些是半導體材料？它有哪些特征？ 1.2半導體材料的類別 第二章：基本原理第二章：基本原理 第三章：半導體材料的性質(zhì)與性能 第二節(jié) 基本原理 第三章：半導體材料的性質(zhì)與性能 第4章　對半導體材料的技術(shù)要求 半導體材料第5章：半導體材料的制備 如果在A熔體中存在著微量的B雜質(zhì)，并且它們在固體的狀況下是形成固溶體，則在冷卻析晶時，微量的B雜質(zhì)將有一部分凝入固相中，但雜質(zhì)在晶體中的濃度和在熔體中的濃度是不一樣的，從圖1-2-55（a）看到在熔體中B的濃度是CL，在晶體中B的濃度是Cs。由于液相線和固相線近似地看成直線，所以很容易證明在平衡時，二者的比值是一個常數(shù)，即： K = C s /CL (5-3) K稱為分配/分凝系數(shù)，上述現(xiàn)象稱為分凝現(xiàn)象。 T(CL1) = T0 + tgα1*C L1 T(Cs1) = T0 + tgα2*C s1 所以： T(CL1) - T0 = tgα1*C L1 T(Cs1) - T0 = tgα2*C s1 兩式相比有：  (T(CL1)-T0)/(T(Cs1)-T0 )=(tgα1/tgα2)*(C L1 /C s1) 在平衡時T(Ct1)= T(Cs1)，故有： C s1 /C L1 = tgα1/tgα2=K 只要液相線和固相線是直線，那么在任意溫度平衡時都可以得到同樣結(jié)果，因此可把下標“1”去掉，得到: C s /C L =K K =tgα1/tgα2 圖1-2-56的情況是加入雜質(zhì)后降低了熔體的溫度，所以有: |tgα1|<|tgα2|，即: K < 1。 如果加入雜質(zhì)后是升高了熔體的溫度，則如圖1-2-57所示，則有： |tgα1|>|tgα2|，即: K > 1。分凝現(xiàn)象 分凝現(xiàn)象是個極普通的現(xiàn)象。因為如果從微量雜質(zhì)的角度考慮，沒有固溶體生成的體系是不存在的。事實上只要微量分析的儀器足夠精確，人們都可以觀察到從液體中結(jié)晶出的是固溶體而不是純粹的個體物質(zhì)（組分或化合物）。只是由于大部分體系中的固溶體的溶解度非常微小，相圖的研究者按常規(guī)方法不容易發(fā)現(xiàn)或者在相圖中無法表示而已。所以分凝現(xiàn)象是一個很重要的概念，它在晶體生長、物質(zhì)提純和近代燒結(jié)中都有廣泛應用。 2、 正常凝固（或定向凝固 /結(jié)晶） 將B雜質(zhì)含量為Co的混合物放入舟形容器內(nèi)，全部熔化，然后從一端到另一端逐漸凝固。如果這種凝固滿足以下三個條件： （a）雜質(zhì)的分凝系數(shù)K是常數(shù)； （b）雜質(zhì)在固體中的擴散可以忽略不計； （c）雜質(zhì)在液體中的分布是均勻的。 那么就稱為正常凝固（或定向凝固）。 區(qū)域提純是用電阻爐或高頻爐加熱的方法，使一些含有雜質(zhì)的材料條的某一區(qū)域熔化，然后使熔化區(qū)域由一端逐步移向另一端。材料的雜質(zhì)由于分凝作用，就朝著一定方向集中，反復多次進行，最后雜質(zhì)被聚集在端頭的一個很小的范圍內(nèi)，而使大部分材料達到提純的目的。這一過程稱為區(qū)域提純。 區(qū)域提純之所以能多次重復，是由于熔化局限在一個很小的區(qū)域(不像定向凝固需全部熔化)，其余都處在固體狀態(tài)，擴散極慢。在第二遍熔區(qū)移動時，雜質(zhì)不可能恢復原來均勻分布，只能進一步把雜質(zhì)往一端集中。原來雜質(zhì)濃度均勻的錠條，經(jīng)過第一次提純后，雜質(zhì)在錠條的分布為： Cs(x)=C0[1-(1-K)e-kx/L] （1-2-7） 假設(shè)錠條有單位長度的橫截面積，最初在整個長度上有相同的雜質(zhì)濃度C0。從最左端開始在L長度范圍內(nèi)熔化（熔化的體積為1×1×L）。 第一次，第一個熔區(qū)的雜質(zhì)濃度應該是C0 。然后把熔區(qū)向右移動了dx的距離，這意味著左邊有dx×1×1的熔體凝固，而右邊有dx×1×1的固體熔化（以下將1×1省略）。在左邊dx凝固時，由于分凝作用（設(shè)K＜1），在凝固部分雜質(zhì)含量應該是： Cs1=KC0 雜質(zhì)原子的量是： Cs1 dx。 同時熔入的dx帶進的雜質(zhì)原子量是： C0dx。 那么在移動dx的過程中，在熔區(qū)中凈增雜質(zhì)量應該是（若K ﹥ 1為凈減）： C0dx - Cs1dx = C0dx - KC0dx 假如熔區(qū)已經(jīng)移動至x處（如上圖），此時熔體濃度為Cl(x) (顯然Cl(x)＞C0)。又移動dx距離，左邊凝固的固體帶走的雜質(zhì)原子數(shù)量是： Cl(x) Kdx 右邊熔入的雜質(zhì)原子數(shù)量是：C0dx 凈增量為：[C0 - Cl(x) K] dx 另一方面，在x處的熔區(qū)，由于移動dx后，濃度改變量可表示成 dCl(x) ，雜質(zhì)原子改變的數(shù)量是ldCl(x)，顯然應該有如下等式： LdCL(x) = [C0 - CL(x) K] dx 考慮到Cs(x)= KCl(x)，所以有： LdCL(x)/K= [C0 - Cs(x) ] dx 移項，并兩邊積分： 得到雜質(zhì)濃度的分布：Cs(x)=C0[1-(1-K)e-kx/L] （1-2-7） 得到雜質(zhì)濃度的分布：Cs(x)=C0[1-(1-K)e-kx/L] （1-2-7） 從上面的 推導和公式（1-2-7）我們可以看到： a.熔區(qū)愈小，雜質(zhì)濃度的最終分布愈有利。 b.不同K值的雜質(zhì)，提純效果不同，K值與1相差愈大，雜質(zhì)的最終分布愈好。 K﹥ ﹥ 1，提純效果好， 雜質(zhì)集中在頭部； K ＜ ＜ 1，提純效果也好，雜質(zhì)集中在尾部； K≈1，提純效果差，雜質(zhì)基本均勻分布在整個錠條中，這種雜質(zhì)適合做摻雜劑。因此，區(qū)域提純并不是對所有物質(zhì)的提純都有效。如對半導體Si、Ge十分有效，但對GaAs化合物則不理想。與定向凝固相比，區(qū)域提純優(yōu)勢在于：可以重復進行，使雜質(zhì)不斷向一端集中，避免了對原材料的較多浪費。 第六章：一些主要的半導體材料第六章：一些主要的半導體材料 （4）電子晶體聲子玻璃概念是指研究或設(shè)計一種熱電材料使之同時具有晶體材料所具有的電導率同時又具有玻璃一樣的熱導率。其目的是提高電導率，降低熱導率。其直接結(jié)果是研究具有晶格空位的—層狀結(jié)構(gòu)和各類大空位晶體結(jié)構(gòu)的材料體系ll6紅軟基地

半導體材料的分類PPT課件：這是一個關(guān)于半導體材料的分類PPT課件，主要介紹了教學目標；形形色色的材料；高樓大廈、道路橋梁；金屬材料；陶瓷材料；玻璃；寶石；納米材料；合成材料；材料的物理性質(zhì)；材料與社會發(fā)展；材料的合理利用；半導體；根據(jù)材料的導電性能：材料可分為；實驗探究；探索新材料；課堂練習；本課小結(jié)；名言警句，1、知道材料的分類，知道不同材料具有不同的物理性質(zhì)。2、能舉例說明材料除具有導熱性、導電性、磁性、密度、比熱容外，還具有彈性、硬度、延展性等物理性質(zhì)。3、知道材料對人類社會發(fā)展的促進作用。4、知道導體、絕緣體、半導體導電性能的差異，知道半導體二極管的單向?qū)щ娦浴?、知道超導材料是一種電阻為零的材料，知道超導材料具有超導磁懸浮的特性. 6、了解納米材料的有關(guān)知識，歡迎點擊下載半導體材料的分類PPT課件哦。

半導體材料的應用PPT課件：這是一個關(guān)于半導體材料的應用PPT課件，包括了半導體的基礎(chǔ)知識，半導體二極管，半導休三極管，場效應管，晶閘管等內(nèi)容，例 1.1在圖1.1.6中，已知穩(wěn)壓二極管的UVDZ=6.3V, 當UI=±20V，R=1kΩ時，求UO。已知穩(wěn)壓二極管的正向?qū)�通壓降UF=0.7 V。解UI=+20V, VDZ1反向擊穿穩(wěn)壓，UVDZ1=6.3V，VDZ2正向?qū)�通，UF2=0.7V，則UO=+7V；同理，UI= -20V, UO= -7V。1.4 單相整流濾波電路 單相整流電路可以把交流電利用二極管的單向?qū)�通原理整變成直流電。單相整流電路分為半波整流、全波整流、橋式整流和倍壓整流電路�?.4.1單相半波整流電路1.單相半波整流電路的結(jié)構(gòu)工作原理?單相半波整流如圖1.1.9所示。其中u1、u2分別表示變壓器的原邊和副邊交流電壓，ＲＬ為負載電阻。2、負載上直流電壓和電流的估算 半波整流的情況下，負載兩端的直流電壓為：UO=0.45U2 負載中的電流：IO=0.45U2/RL 3、二極管的選擇 在半波整流電路中選用二極管時： 二極管的最大正向電流應大于負載電流 二極管的最大反向電壓就是變壓器二次側(cè)電壓的最大值。4、半波整流的優(yōu)缺點 優(yōu)點：單相半波整流電路簡單，使用元器件少；不足: 是輸出紋波大，電源變壓器利用率和整流效率低，所以單相半波整流僅用在小電流且對電源要求不高的場合。1.5 晶體管 1.6 場效應晶體管 1.6 場效應晶體管 1.7 集成電路，歡迎點擊下載半導體材料的應用PPT課件哦。

半導體材料的分類PPT：這是一個關(guān)于半導體材料的分類PPT，主要介紹了半導體材料的概念、半導體材料的性質(zhì)、半導體材料的分類、半導體材料的應用等內(nèi)容。在元素周期表的ⅢA族至IVA族分布著11種具有半導性的元素。C、P、Se具有絕緣體與半導體兩種形態(tài);B、Si、Ge、Te具有半導性；Sn、As、Sb具有半導體與金屬兩種形態(tài)。P的熔點與沸點太低,Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解，所以它們的實用價值不大。As、Sb、Sn的穩(wěn)定態(tài)是金屬，半導體是不穩(wěn)定的形態(tài)。B、C、Te也因制備工藝上的困難和性能方面的局限性而尚未被利用。因此這11種元素半導體中只有Ge、Si、Se 3種元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半導體材料中應用最廣的兩種材料，歡迎點擊下載半導體材料的分類PPT哦。