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- 素材大小:
- 26.31 MB
- 素材授權(quán):
- 免費(fèi)下載
- 素材格式:
- .ppt
- 素材上傳:
- ppt
- 上傳時(shí)間:
- 2018-05-11
- 素材編號(hào):
- 183446
- 素材類別:
- 儀器設(shè)備PPT
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這是一個(gè)關(guān)于模擬電子技術(shù)課件ppt,包括了常用半導(dǎo)體器件,基本放大電路,多級(jí)放大電路,集成運(yùn)算放大電路,放大電路的頻率響應(yīng),放大電路中的反饋,信號(hào)的運(yùn)算和處理電路等內(nèi)容,若T ,將有少數(shù)價(jià)電子克服共價(jià)鍵的束縛成為自由電子,在原來的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位——空穴。 自由電子和空穴使本征半導(dǎo)體具有導(dǎo)電能力,但很微弱。在硅或鍺的晶體中摻入少量的 5 價(jià)雜質(zhì)元素,如磷、銻、砷等,即構(gòu)成 N 型半導(dǎo)體(或稱電子型半導(dǎo)體)。本征半導(dǎo)體摻入5 價(jià)元素后,原來晶體中的某些硅原子將被雜質(zhì)原子代替。雜質(zhì)原子最外層有 5 個(gè)價(jià)電子,其中 4 個(gè)與硅構(gòu)成共價(jià)鍵,多余一個(gè)電子只受自身原子核吸引,在室溫下即可成為自由電子。在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為P 型半導(dǎo)體,另一側(cè)摻雜成為 N 型半導(dǎo)體,兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層,稱為 PN 結(jié),歡迎點(diǎn)擊下載模擬電子技術(shù)課件ppt哦。
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若T ,將有少數(shù)價(jià)電子克服共價(jià)鍵的束縛成為自由電子,在原來的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位——空穴。 自由電子和空穴使本征半導(dǎo)體具有導(dǎo)電能力,但很微弱。在硅或鍺的晶體中摻入少量的 5 價(jià)雜質(zhì)元素,如磷、銻、砷等,即構(gòu)成 N 型半導(dǎo)體(或稱電子型半導(dǎo)體)。本征半導(dǎo)體摻入5 價(jià)元素后,原來晶體中的某些硅原子將被雜質(zhì)原子代替。雜質(zhì)原子最外層有 5 個(gè)價(jià)電子,其中 4 個(gè)與硅構(gòu)成共價(jià)鍵,多余一個(gè)電子只受自身原子核吸引,在室溫下即可成為自由電子。在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為P 型半導(dǎo)體,另一側(cè)摻雜成為 N 型半導(dǎo)體,兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層,稱為 PN 結(jié)。
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