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開關(guān)電源參數(shù)計(jì)算介紹PPT下載

素材大。
477.5 KB
素材授權(quán):
免費(fèi)下載
素材格式:
.ppt
素材上傳:
ppt
上傳時(shí)間:
2018-04-02
素材編號(hào):
178706
素材類別:
房產(chǎn)裝修PPT

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開關(guān)電源參數(shù)計(jì)算介紹PPT

這是一個(gè)關(guān)于開關(guān)電源參數(shù)計(jì)算介紹PPT,包括了PFC電路基本原理,PFC相關(guān)參數(shù)的計(jì)算,開關(guān)電源參數(shù)計(jì)算等內(nèi)容,討論: 從上述關(guān)于二次側(cè)整流二極管所流電流峰值的公式中可以看到,此峰值電流只和效率,輸出電流有關(guān)。在這里我們可以把I看作是η的函數(shù),對(duì)其求導(dǎo)得 : I.’= -2/η2. 所以I是遞減函數(shù),其大致曲線如圖 : ⑦主MOS耐壓值的確定 從變壓器的電流波形可知,電流在減少時(shí)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反電動(dòng)勢(shì)。 在主MOS導(dǎo)通時(shí)有: V0高壓=(ΔI/Δ ton)*L主 (電感特性) = Δ Ф /Δ t=Δ B * S *N /Δ ton (法拉第電磁感應(yīng)定律) 從中可以導(dǎo)出 Δ B=( V0高壓Δ ton)/SN 在截止時(shí),由法拉第電磁感應(yīng)定律: ε=ε反+ε漏=Δ Ф /Δ tr=Δ B *S *N /Δ tr =(V0高壓Δ ton)/ Δ tr 上式變形后得; ε*Δ tr= V0高壓Δ ton (面積相等,tr 包括泄磁階段,恢復(fù)階段) 同時(shí)在截止時(shí),由二次測(cè)反加回一次側(cè)的電壓ε反大小應(yīng)為 ε反=V0’*N 這樣在主MOS上產(chǎn)生的壓降為 V=V0高壓+ε反= V0高壓+V0’*N 在考慮主變壓器的漏感時(shí)有下述方程: ε漏=(Ip/tr泄磁)*L漏 所以加在MOS管上的總壓降是 V= V0高壓+V0’*N+ε漏 = V0高壓+(V0/D主)*N+(Ip/tr泄磁)*L漏 又因?yàn)棣欧磻?yīng)當(dāng)相等,則 ε反=(V0高壓Δ ton)/ Δ tr-ε漏 1式 ε反= V0’*N 2式 通過1,2兩式可以得出 Δ ton={( V0’*N+ε漏)/ V0高壓}*Δ tr 取V0高壓=390V, V0=12V, D主=0.3385, N=11, Ip=1.537A, tr泄磁=2uS, L漏=30uH 帶入上式得;V=390+389.9+23.055=802.955V,歡迎點(diǎn)擊下載開關(guān)電源參數(shù)計(jì)算介紹PPT。

開關(guān)電源參數(shù)計(jì)算介紹PPT是由紅軟PPT免費(fèi)下載網(wǎng)推薦的一款房產(chǎn)裝修PPT類型的PowerPoint.

討論: 從上述關(guān)于二次側(cè)整流二極管所流電流峰值的公式中可以看到,此峰值電流只和效率,輸出電流有關(guān)。在這里我們可以把I看作是η的函數(shù),對(duì)其求導(dǎo)得 : I.’= -2/η2. 所以I是遞減函數(shù),其大致曲線如圖 : ⑦主MOS耐壓值的確定 從變壓器的電流波形可知,電流在減少時(shí)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反電動(dòng)勢(shì)。 在主MOS導(dǎo)通時(shí)有: V0高壓=(ΔI/Δ ton)*L主 (電感特性) = Δ Ф /Δ t=Δ B * S *N /Δ ton (法拉第電磁感應(yīng)定律) 從中可以導(dǎo)出 Δ B=( V0高壓Δ ton)/SN   在截止時(shí),由法拉第電磁感應(yīng)定律: ε=ε反+ε漏=Δ Ф /Δ tr=Δ B *S *N /Δ tr =(V0高壓Δ ton)/ Δ tr 上式變形后得; ε*Δ tr= V0高壓Δ ton (面積相等,tr 包括泄磁階段,恢復(fù)階段) 同時(shí)在截止時(shí),由二次測(cè)反加回一次側(cè)的電壓ε反大小應(yīng)為 ε反=V0’*N 這樣在主MOS上產(chǎn)生的壓降為 V=V0高壓+ε反= V0高壓+V0’*N 在考慮主變壓器的漏感時(shí)有下述方程: ε漏=(Ip/tr泄磁)*L漏 所以加在MOS管上的總壓降是 V= V0高壓+V0’*N+ε漏 = V0高壓+(V0/D主)*N+(Ip/tr泄磁)*L漏   又因?yàn)?epsilon;反應(yīng)當(dāng)相等,則 ε反=(V0高壓Δ ton)/ Δ tr-ε漏 1式 ε反= V0’*N 2式 通過1,2兩式可以得出 Δ ton={( V0’*N+ε漏)/ V0高壓}*Δ tr   取V0高壓=390V, V0=12V, D主=0.3385, N=11, Ip=1.537A, tr泄磁=2uS, L漏=30uH 帶入上式得 ; V=390+389.9+23.055=802.955V  PCe紅軟基地

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