HSPICE 2010簡(jiǎn)體中文版是一款由Synopsys公司推出的專業(yè)EDA設(shè)計(jì)工具，主要適用于一些電路設(shè)計(jì)工程師使用，它為使用者提供了豐富實(shí)用的EDA設(shè)計(jì)工具，并可以與其它專業(yè)軟件兼容，比如Cadence，Workview等。該軟件可以大大地提高電路仿真的精準(zhǔn)度，這個(gè)是較為經(jīng)典的一個(gè)版本，需要此款工具的朋友們歡迎前來(lái)下載使用。zGt紅軟基地

軟件功能

HSPICE 可與許多主要的EDA 設(shè)計(jì)工具，諸如Cadence，Workview 等兼容，能提供許多重要的針對(duì)集成電路性能的電路仿真和設(shè)計(jì)結(jié)果。采用HSPICE 軟件可以在直流到高于100MHz 的微波頻率范圍內(nèi)對(duì)電路作精確的仿真、分析和優(yōu)化。在實(shí)際應(yīng)用中， HSPICE能提供關(guān)鍵性的電路模擬和設(shè)計(jì)方案，并且應(yīng)用HSPICE進(jìn)行電路模擬時(shí)，其電路規(guī)模僅取決于用戶計(jì)算機(jī)的實(shí)際存儲(chǔ)器容量。zGt紅軟基地

軟件特色

- 準(zhǔn)確度 zGt紅軟基地
金標(biāo)準(zhǔn)精確的電路仿真。 zGt紅軟基地
粗放型的支持最準(zhǔn)確，最廣闊的一套行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和專有的仿真模型。 zGt紅軟基地
- 性能 zGt紅軟基地
HSPICE剛剛得到更快了! Synopsys公司取得了HSPICE一個(gè)性能領(lǐng)先的單人和多核計(jì)算機(jī)上 zGt紅軟基地
顯著加速細(xì)胞特性的應(yīng)用，大型提取的網(wǎng)表，信號(hào)完整性和65 nm設(shè)計(jì)。 zGt紅軟基地
- 設(shè)計(jì)產(chǎn)量 - 過(guò)程變化和設(shè)備可靠性仿真 zGt紅軟基地
流程和互連變異 - 型號(hào)器件和互連線的變化 zGt紅軟基地
變化塊 - 強(qiáng)大而靈活的機(jī)制來(lái)定義工藝變化的影響。 zGt紅軟基地
AC&DCMatch - 本地參數(shù)不匹配影響效率的統(tǒng)計(jì)模擬。 zGt紅軟基地
“智能”蒙地卡羅 - 即運(yùn)行速度比傳統(tǒng)蒙特卡羅技術(shù)快好幾倍的通用統(tǒng)計(jì)模擬。 zGt紅軟基地
MOSRA器件的可靠性分析 - 仿真HCI和NBTI設(shè)備老化影響 zGt紅軟基地
- 董事會(huì)和包裝設(shè)計(jì)完整性分析 zGt紅軟基地
增強(qiáng)型W-元素和S參數(shù)模擬信號(hào)完整性問(wèn)題和支持SI分析。 zGt紅軟基地
支持大規(guī)模的500端口S參數(shù) zGt紅軟基地
- 射頻和高速仿真 zGt紅軟基地
最佳的RF模擬器PLL和VCO應(yīng)用 zGt紅軟基地
最精確的射頻仿真器 zGt紅軟基地
最快的射頻仿真器 zGt紅軟基地
高容量的射頻仿真，10000+晶體管既諧波平衡和射擊牛頓算法 zGt紅軟基地
全面的解決方案模擬低噪聲放大器，功率放大器，濾波器，AGC電路中，振蕩器，混頻器，乘法器，調(diào)制器，解調(diào)器，和壓控振蕩器。zGt紅軟基地

使用說(shuō)明

Hspice是一個(gè)模擬電路仿真軟件，在給定電路結(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)的條件下，它可以模擬和 zGt紅軟基地
計(jì)算電路的各種性能。用Hspice分析一個(gè)電路，首先要做到以下三點(diǎn)： zGt紅軟基地
(1) 給定電路的結(jié)構(gòu)(也就是電路連接關(guān)系)和元器件參數(shù)(指定元器件的參數(shù)庫(kù)); zGt紅軟基地
(2) 確定分析電路特性所需的分析內(nèi)容和分析類型(也就是加入激勵(lì)源和設(shè)置分析類型); zGt紅軟基地
(3) 定義電路的輸出信息和變量。 zGt紅軟基地
Hspice規(guī)定了一系列輸入，輸出語(yǔ)句，用這些語(yǔ)句對(duì)電路仿真的標(biāo)題，電路連接方式，組成電路元器件的名稱，參數(shù)，模型，以及分析類型，以及輸出變量等進(jìn)行描述。 zGt紅軟基地
一 Hspice輸入文件的語(yǔ)句和格式 zGt紅軟基地
Hspice輸入文件包括電路標(biāo)題語(yǔ)句，電路描述語(yǔ)句，分析類型描述語(yǔ)句，輸出描述語(yǔ)句，注釋語(yǔ)句，結(jié)束語(yǔ)句等六部分構(gòu)成，以下逐一介紹： zGt紅軟基地
1 電路的標(biāo)題語(yǔ)句 zGt紅軟基地
電路的標(biāo)題語(yǔ)句是輸入文件的第一行，也成為標(biāo)題行，必須設(shè)置。它是由任意字母和字符串組成的說(shuō)明語(yǔ)句，它在Hspice的title框中顯示。 zGt紅軟基地
2 電路描述語(yǔ)句 zGt紅軟基地
電路描述語(yǔ)句由定義電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)的元器件描述語(yǔ)句，模型描述語(yǔ)句和電源語(yǔ)句等組成，其位置可以在標(biāo)題語(yǔ)句和結(jié)束語(yǔ)句之間的任何地方。 zGt紅軟基地
(1) 電路元器件 zGt紅軟基地
Hspice 要求電路元器件名稱必須以規(guī)定的字母開(kāi)頭，其后可以是任意數(shù)字或字母。除了名稱之外，還應(yīng)指定該元器件所接節(jié)點(diǎn)編號(hào)和元件值。 zGt紅軟基地
電阻，電容，電感等無(wú)源元件描述方式如下： zGt紅軟基地
R1 1 2 10k (表示節(jié)點(diǎn)1 與2 間有電阻R1，阻值為10k 歐) zGt紅軟基地
C1 1 2 1pf (表示節(jié)點(diǎn)1 與2 間有電容C1，電容值為1pf) zGt紅軟基地
L1 1 2 1mh (表示節(jié)點(diǎn)1 與2 間有電感L1，電感值為1mh) zGt紅軟基地
半導(dǎo)體器件包括二極管，雙極性晶體管，結(jié)形場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管等，這些半導(dǎo)體器件的特性方程通常是非線性的，故也成為非線性有源元件。在電路CAD工具進(jìn)行電路仿真時(shí)，需要用等效的數(shù)學(xué)模型來(lái)描述這些器件。 zGt紅軟基地
(a) 二極管描述語(yǔ)句如下： zGt紅軟基地
DXXXX N+ N- MNAME zGt紅軟基地
D 為元件名稱，N+和N-分別為二極管的正負(fù)節(jié)點(diǎn)，MNAME 是模型名 ，后面為可選項(xiàng)： zGt紅軟基地
AREA 是面積因子，OFF時(shí)直流分析所加的初始條件，IC=VD 時(shí)瞬態(tài)分析的初始條件。 zGt紅軟基地
(b)雙極型晶體管 zGt紅軟基地
QXXXX NC NB NE MNAME zGt紅軟基地
Q 為元件名稱，NC NB NE 分別是集電極，基極，發(fā)射極和襯底的節(jié)點(diǎn)。缺省時(shí)，NS 結(jié)地。后面可選項(xiàng)與二極管的意義相同。 zGt紅軟基地
(c)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 zGt紅軟基地
JXXXX ND NG NS MNAME zGt紅軟基地
J為元件名稱，ND NG NS為漏，柵，源的節(jié)點(diǎn)，MNAME 是模型名 ，后面為可選項(xiàng)與二極管的意義相同。 zGt紅軟基地
(d)MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 zGt紅軟基地
MXXXX ND NG NS NB MNAME zGt紅軟基地
M為元件名稱，ND，NG，NS，NB 分別是漏，柵，源和襯底節(jié)點(diǎn)。MNAME 是模型名，L溝道長(zhǎng)，M為溝道寬。 zGt紅軟基地
(2) 元器件模型 zGt紅軟基地
許多元器件都需用模型語(yǔ)句來(lái)定義其參數(shù)值。模型語(yǔ)句不同于元器件描述語(yǔ)句，它是以“.”開(kāi)頭的點(diǎn)語(yǔ)句，由關(guān)鍵字.MODEL，模型名稱，模型類型和一組參數(shù)組成。 電阻，電容，二極管，MOS 管，雙極管都可設(shè)置模型語(yǔ)句。這里我們僅介紹MOS 管的模型語(yǔ)句， zGt紅軟基地
其他的可參考Hspice幫助手冊(cè)。 zGt紅軟基地
MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管模型 zGt紅軟基地
MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是集成電路中常用的器件，在Hspice 有20 余種模型，模型參數(shù)有40――60 個(gè)，大多是工藝參數(shù)。例如一種MOS 模型如下： zGt紅軟基地
.MODEL NSS NMOS LEVEL="3" RSH="0" TOX="275E-10" LD=.1E-6 XJ=.14E-6 zGt紅軟基地
+ CJ="1".6E-4 CJSW="1".8E-10 UO="550" VTO="1".022 CGSO="1".3E-10 zGt紅軟基地
+ CGDO="1".3E-10 NSUB="4E15" NFS="1E10" zGt紅軟基地
+ VMAX="12E4" PB=.7 MJ=.5 MJSW=.3 THETA=.06 KAPPA=.4 ETA=.14 zGt紅軟基地
.MODEL PSS PMOS LEVEL="3" RSH="0" TOX="275E-10" LD=.3E-6 XJ=.42E-6 zGt紅軟基地
+ CJ="7".7E-4 CJSW="5".4E-10 UO="180" VTO="-1".046 CGSO="4E-10" zGt紅軟基地
+ CGDO="4E-10" TPG="-1" NSUB="7E15" NFS="1E10" zGt紅軟基地
+ VMAX="12E4" PB=.7 MJ=.5 MJSW=.3 ETA=.06 THETA=.03 KAPPA=.4 zGt紅軟基地
上面：.MODEL為模型定義關(guān)鍵字. zGt紅軟基地
NSS 為模型名，NMOS為模型類型，LEVEL=3 表示半經(jīng)驗(yàn)短溝道模型，后面RSH=0 zGt紅軟基地
等等為工藝參數(shù)。 zGt紅軟基地
(3) 電路的輸入激勵(lì)和源 zGt紅軟基地
Hspice中的激勵(lì)源分為獨(dú)立源和受控源兩種，這里我們僅簡(jiǎn)單介紹獨(dú)立源。獨(dú)立源有獨(dú)立電壓源和獨(dú)立電流源兩種，分別用V 和I 表示。他們又分為直流源，交流小信號(hào)源和瞬態(tài)源，可以組合在一起使用。 zGt紅軟基地
(a)直流源 zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- DC VALUE zGt紅軟基地
IXXXX N+ N- DC VALUE zGt紅軟基地
例如：VCC 1 0 DC 5v (表示節(jié)點(diǎn)1，0 間加電壓5v) zGt紅軟基地
(b)交流小信號(hào)源 zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- AC > zGt紅軟基地
IXXXX N+ N- AC > zGt紅軟基地
其中，ACMAG 和ACPHASE 分別表示交流小信號(hào)源的幅度和相位。 zGt紅軟基地
例如：V1 1 0 AC 1v (表示節(jié)點(diǎn)1，0 間加交流電壓幅值1v，相位0) zGt紅軟基地
(c)瞬態(tài)源 zGt紅軟基地
瞬態(tài)源有幾種，以下我們均只以電壓源為例，電流源類似: zGt紅軟基地
* 脈沖源(又叫周期源) zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- PULSE(V1 V2 TD TR TF PW PER) zGt紅軟基地
V1 初始值，V2 脈動(dòng)值，TD 延時(shí)，TR 上升時(shí)間，TF下降時(shí)間，PW脈沖寬度，PER 周期 zGt紅軟基地
例如：V1 5 0 PULSE(0 1 2NS 4Ns 4Ns 20NS 50NS) zGt紅軟基地
* 正弦源 zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- SIN(V0 VA FREQ TD THETA PHASE) zGt紅軟基地
V0:偏置，VA:幅度，F(xiàn)REQ: 頻率 ，TD :延遲，THETA: 阻尼因子，PHASE:相位 zGt紅軟基地
* 指數(shù)源 zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- EXP(V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2) zGt紅軟基地
V1初始值，V2中止值，TD1上升延時(shí)，TAU1上升時(shí)間常數(shù)，TD2下降延時(shí)，TAU2下降 zGt紅軟基地
時(shí)間常數(shù) zGt紅軟基地
例如:V1 3 0 EXP(0 2 2ns 30ns 60ns 40ns) zGt紅軟基地
* 分段線性源 zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- PWL(T1 V1 ) zGt紅軟基地
其中每對(duì)值(T1，V1)確定了時(shí)間t=T1是分段線性源的值V1。 zGt紅軟基地
例如：Vpwl 3 0 PWL(0 1，10ns 1.5) zGt紅軟基地
(4) 子電路 zGt紅軟基地
* 子電路語(yǔ) zGt紅軟基地
句 zGt紅軟基地
.SUBCKT SUBNAM N1< N2 。。。> zGt紅軟基地
子電路的定義由.SUBCKT 語(yǔ)句開(kāi)始。SUBNAM是子電路名，N1< N2 。。。>是外部節(jié)點(diǎn)號(hào) zGt紅軟基地
* 終止語(yǔ)句 zGt紅軟基地
.ENDS (表示結(jié)束子電路定義) zGt紅軟基地
* 子電路調(diào)用語(yǔ)句 zGt紅軟基地
XYYYY N1< N2 。。。> SUBNAM zGt紅軟基地
在Spice中調(diào)用子電路的方法是設(shè)定以字母X 開(kāi)頭的偽元件名，其后是用來(lái)連接到子電路上 zGt紅軟基地
的節(jié)點(diǎn)號(hào)，在后面是子電路名。 zGt紅軟基地
例如：.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4 zGt紅軟基地
具體運(yùn)放電路描述 zGt紅軟基地
.ENDS zGt紅軟基地
Xop 1 2 3 4 OPAMP (調(diào)用該運(yùn)放子電路) zGt紅軟基地
3 電路的分析類型描述語(yǔ)句 zGt紅軟基地
分析類型描述語(yǔ)句由定義電路分析類型的描述語(yǔ)句和一些控制語(yǔ)句組成，如直流分析 zGt紅軟基地
(.OP)，瞬態(tài)分析(.TRAN)等分析語(yǔ)句，以及初始狀態(tài)設(shè)置(.IC)，選擇項(xiàng)設(shè)置(.OPTIONS) zGt紅軟基地
等控制語(yǔ)句。它的位置可在標(biāo)題語(yǔ)句和結(jié)束語(yǔ)句之間的任何地方。 zGt紅軟基地
(1) .TRAN(瞬態(tài)分析語(yǔ)句) zGt紅軟基地
一般形式: .TRAN TSTEP TSTOP > zGt紅軟基地
TSETP 為時(shí)間增量，TSTOP 為終止時(shí)間，TSTART 為初始時(shí)間(若不設(shè)定，則隱含值為0) zGt紅軟基地
例如：.TRAN 1NS 10000NS 500NS (瞬態(tài)分析500—10000NS，步長(zhǎng)為1NS) zGt紅軟基地
(2).AC(交流分析語(yǔ)句) zGt紅軟基地
在規(guī)定的頻率范圍內(nèi)完成電路的交流小信號(hào)分析 zGt紅軟基地
.AC DEC ND FSTART FSTOP (數(shù)量級(jí)變化) zGt紅軟基地
其中，DEC 為10 倍頻，ND 為該范圍內(nèi)點(diǎn)的數(shù)目，F(xiàn)START初始頻率，F(xiàn)STOP 中止頻率。 zGt紅軟基地
例如： .AC DEC 10 1 10K (指從1 到10KHZ范圍，每個(gè)數(shù)量級(jí)取10 點(diǎn)，交流小 zGt紅軟基地
信號(hào)分析) zGt紅軟基地
(3).DC(直流掃描語(yǔ)句) zGt紅軟基地
是在指定的范圍內(nèi)，某一個(gè)獨(dú)立源或其他電路元器件參數(shù)步進(jìn)變化時(shí)，計(jì)算電路滯留輸 zGt紅軟基地
出變量的相應(yīng)變化曲線。 zGt紅軟基地
DC SRCNAN VSTART VSTOP VINCR <> zGt紅軟基地
例如： .DC VIN 0.25 5.0 0.25 (表示電壓源VIN 的值從0。25V掃描到5V，每次增量 zGt紅軟基地
0。25V) zGt紅軟基地
(4).OPTION(可選項(xiàng)語(yǔ)句) zGt紅軟基地
ACCT(打印出計(jì)算和運(yùn)行時(shí)間統(tǒng)計(jì)) zGt紅軟基地
LIST(打印出輸入數(shù)據(jù)總清單) zGt紅軟基地
NODE(打印出結(jié)點(diǎn)表) zGt紅軟基地
NOMOD(抑制模型參數(shù)的打印輸出) zGt紅軟基地
具體電路的分析類型描述語(yǔ)句可查閱Hspice在線幫助。 zGt紅軟基地
4 輸出描述語(yǔ)句 zGt紅軟基地
(1) 文本打印語(yǔ)句.PRINT zGt紅軟基地
.PRINT TYPE ov1 zGt紅軟基地
TYPE 為指定的輸出分析類型，如(DC);OV1 為輸出變量名。 zGt紅軟基地
例如：.PRINT DC V(5) 。zGt紅軟基地

軟件截圖

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